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原子层沉积

ALD
是一种基于气体前驱在表面的依次反应的有效薄膜沉积创新技术。

  • 精确的原子级厚度和成分控制
  • 复杂三维纳米微结构深槽高宽比的优异保形性
  • 在大面积基底中具有优异的厚度均匀性
  • 工艺温度低于化学气相沉积
  • 可用材料：金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、层压板、混合材料
  • 应用领域：半导体、显示器、太阳能电池、LED、MEMS、光学、生物、纳米及柔性器件