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热原子层沉积工艺
系统规范
立式熔炉分批原子层沉积
基底尺寸:4 ~ 12”标准(晶片)
产品晶片:25个/50个(最多100个)
船槽间距:10 ~ 15mm
用于晶片装载的船升降系统
上/下和晶片旋转
手动/自动晶片转移
加热炉:区域温度控制
工艺流程温度:400℃ ~ 800℃
上升:> 10 ℃/min
下降:2 ~ 3.3 ℃/min
视图
原子-大量
细节