原子层沉积

原子-大量

热原子层沉积工艺

  • 系统规范
  • 立式熔炉分批原子层沉积
  • 基底尺寸:4 ~ 12”标准(晶片)
  • 产品晶片:25个/50个(最多100个)
  • 船槽间距:10 ~ 15mm
  • 用于晶片装载的船升降系统
  • 上/下和晶片旋转
  • 手动/自动晶片转移
  • 加热炉:区域温度控制
  • 工艺流程温度:400℃ ~ 800℃
  • 上升:> 10 ℃/min
  • 下降:2 ~ 3.3 ℃/min

视图

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