原子层沉积
原子-优质
热等离子体增强原子层沉积工艺
- 系统规范
- 基底尺寸：4 ~ 12”标准（晶片）
- 热原子层沉积工艺（可用等离子工艺）
- 喷头和基底之间的间隙可调
- 气体输送系统：起泡器、LDS等
- 最高温度：500℃（晶片）
- 前驱罐数量：最多4套（标准）
- 压力控制：由节流阀自动控制
- 工艺量具：电容膜片量规(10 Torr)
- 工艺泵：干式泵（可用旋转泵）
- 泵送管线热阱来减少颗粒
视图
- 原子-优质
- 集群+盒式室
- 原子-优质
- 盒式室
- 原子-优质
- 原子-优质部分
- 原子-优质
- 群集型