ALD应用

动态随机存取存储器

A
  • 盖电介质:
    CVD : TaO, BST
    ALD : Al2O3, HfO2, Al2O3 / HfO2
  • 电极 :
    ALD : TiN
    CVD : Ru, HSG, PH3/N
  • 阻挡层 : ALD TiN
  • 盖层 : ALD Al2O3
B
  • 栅电极 : Si – Ge
  • 栅极电介质 : Al2O3, HfO2  
  • 氮化处理栅极
C
  • 接触屏障 : ALD TiN
  • S/D : 带有就地清洁系统的SEG
  • STI : HDP

太阳能电池

用于c-Si太阳能电池的表面钝化的ALD Al2O3

Bram Hoex、Stephan Heil、Erik Langereis、Richard van de Sanden和Eriwin Kessels
荷兰埃因霍温科技大学应用物理系
互联网 : www.etp.phys.tue.nl

原子力显微镜法(AFM)
可以涂布几乎任何尺寸和形状的物体。实例:AFM尖端

图1.当涂布30纳米(左)和470纳米(右)厚的ALE SnO2涂层时,AFM尖端的SEM图像

M. Utriainen et al. Appl. Phys. A 68 (1999) 339.

微机电系统

MEMS装置上的ALD
在MEMS装置上沉积超薄保形膜,用于:

  • 润滑
  • 腐蚀保护
  • 更高硬度
  • 调整机械性能
  • 光学涂层
  • 电荷耗散
  • 疏水表面

* T.M.Mayer, et al., Appl. Phys. Lett.
82 (2003) 2883.

Carbon Nanotube
SAMSUNG-5″ Color display Carbon Nanotube FED

R.H. Baughman, Science 2002, 297, 787

R.H. Baughman, Science 2002, 297, 787.

C, Dekker, Science 2001, 294, 1317.

ALD-APP-07

Barrier Film
Introduction: moisture permeation barriers
Encapsulation of polymeric devices to prevent lifetime degradation by water uptake

Demands on barrier properties
Current status : PVC and (Plasma-Enhanced) CVD barriers

  • Single layer barriers(>100nm) → WVTR >10-2 g·m-2 · day -1
  • Multilayer barrier stack(3-5 μm) → WVTR >10-5 g·m-2 · day-1

P.E. Burrows et al.. Displays 22. 65 (2001)

Gas Sensor & Etc.
Metal Oxide Semiconductor Gas Sensors
Gas Adsorption on Semiconductor Changes Its Conductivity
Mechanism Involves Changing Carrier Density in space-Charge Region

Yasuhiro Shimizu and Coworkers :
Sensors and Actuators B 52 (1998) 38~44

动态随机存取存储器

A
  • 盖电介质:
    CVD : TaO, BST
    ALD : Al2O3, HfO2, Al2O3 / HfO2
  • 电极 :
    ALD : TiN
    CVD : Ru, HSG, PH3/N
  • 阻挡层 : ALD TiN
  • 盖层 : ALD Al2O3
B
  • 栅电极 : Si – Ge
  • 栅极电介质 : Al2O3, HfO2  
  • 氮化处理栅极
C
  • 接触屏障 : ALD TiN
  • S/D : 带有就地清洁系统的SEG
  • STI : HDP

太阳能电池

用于c-Si太阳能电池的表面钝化的ALD Al2O3

Bram Hoex、Stephan Heil、Erik Langereis、Richard van de Sanden和Eriwin Kessels
荷兰埃因霍温科技大学应用物理系
互联网 : www.etp.phys.tue.nl

原子力显微镜法(AFM)
可以涂布几乎任何尺寸和形状的物体。实例:AFM尖端

图1.当涂布30纳米(左)和470纳米(右)厚的ALE SnO2涂层时,AFM尖端的SEM图像

M. Utriainen et al. Appl. Phys. A 68 (1999) 339.

微机电系统

MEMS装置上的ALD
在MEMS装置上沉积超薄保形膜,用于:

  • 润滑
  • 腐蚀保护
  • 更高硬度
  • 调整机械性能
  • 光学涂层
  • 电荷耗散
  • 疏水表面

* T.M.Mayer, et al., Appl. Phys. Lett.
82 (2003) 2883.

Carbon Nanotube
SAMSUNG-5″ Color display Carbon Nanotube FED

R.H. Baughman, Science 2002, 297, 787

R.H. Baughman, Science 2002, 297, 787.

C, Dekker, Science 2001, 294, 1317.

ALD-APP-07

Barrier Film
Introduction: moisture permeation barriers
Encapsulation of polymeric devices to prevent lifetime degradation by water uptake

Demands on barrier properties
Current status : PVC and (Plasma-Enhanced) CVD barriers

  • Single layer barriers(>100nm) → WVTR >10-2 g·m-2 · day -1
  • Multilayer barrier stack(3-5 μm) → WVTR >10-5 g·m-2 · day-1

P.E. Burrows et al.. Displays 22. 65 (2001)

Gas Sensor & Etc.
Metal Oxide Semiconductor Gas Sensors
Gas Adsorption on Semiconductor Changes Its Conductivity
Mechanism Involves Changing Carrier Density in space-Charge Region

Yasuhiro Shimizu and Coworkers :
Sensors and Actuators B 52 (1998) 38~44