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原子-溢价

喷头型等离子增强 ALD (PE-ALD)

  • 等离子工艺和处理/li>
  • 喷头和基板之间的间隙可调节
  • 可变气体输送系统:起泡器、汽化器、LDS
  • 完全分离的源输送系统
  • 配置ALD/CVD模式工艺
  • 优良的膜均匀性和质量
  • 工艺温度:高达500℃
  • 前体罐:4EA(标准)
  • 基板尺寸:4到12’’晶片
  • 应用
    介电膜:Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、ZnO、ZnS、GST、层压膜等
    氮化物膜:AlN、TiN、TiAlN、TaN等
    金属膜:Ru、Co、Ti、Ni等