原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)
是基于气体前体在表面处的顺序反应的一种强大的薄膜沉积创新。

  • 精确的原子水平厚度和组分控制
  • 具有高纵横比的深沟槽和复杂的3D纳米和微米结构的优良的保形性
  • 大面积基板中的优良的厚度均匀性
  • 比CVD更低的工艺温度
  • 可用材料:金属、金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、层压材料、混合材料
  • 应用领域:半导体、显示器、太阳能电池、LED、MEMS、光学、生物、纳米和柔性器件